ISO9001 승인된 3C 정밀 플라즈마 폴리싱 머신

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x제품 종류 | 3C정밀전자 | 처리 공정 정확도 | 0.002 밀리미터 |
---|---|---|---|
효율성 | 높은 | 소비재의 | 중립 pH 값 |
기능 | 칩 제거 | 면적 | 2000*1300*1900 |
품질 | 높은 스펙룰러 빛 | 부품 형상 | 불규칙한 부품 |
강조하다 | 3c 정밀 플라즈마 닦기 기계,플라즈마 폴리싱 머신,ISO9001 헐리우머 |
3C 정밀 전자 플라즈마 폴리싱
사양
시리즈 번호 | 항목 | 가치 | 단위 |
---|---|---|---|
1 | 플라즈마 작업 전력 (다기능) | 399 | 암페어 |
2 | 작동 전압 | 380 | 볼트 |
3 | 최대 전류 설정 | 600 | 암페어 |
4 | 안전 작동 전류 | 600 | 암페어 |
5 | 제어 시스템 전원 공급 | 220 | 볼트 |
6 | 열 파이프의 단일 튜브 전력 | 10 | kW |
7 | 전체 난방력 | 60 | kW |
8 | 장비의 차원 | 2000 ((L) x 1300 ((W) x 1900 ((H) | mm |
9 | 플라즈마 전원 공급 장치 차원 | 1300 ((L) x 830 ((W) x 1250 ((H) | mm |
10 | 플라즈마 반응실 크기 | 1100 ((L) x 720 ((W) x 820 ((H) | mm |
11 | 효과적 인 손잡이 | 650 | mm |
12 | 최대 효과적 부하 | 100 | 1kg |
13 | 장비의 총 전력 소비 | 399 암페어, 210/270 kW | |
14 | 장비를 위한 외부 전력 선 (삼박스 5선) | 150 | 제곱 mm |
15 | 인간-기계 인터페이스 크기 (대 화면) | 10 | 인치 |
특징
플라즈마 폴리싱물질의 네 번째 상태라고도 불리는 이온화 가스 입자를 부분적으로 이온화하는 전자기 기체 배charge 현상이다. 이온화 된 기체는 원자, 분자, 원자 군집, 이온을 포함한다.,플라즈마는 가스의 층, 즉 오존으로, 닦기 용매와 가공 제품 사이에 전기 전하의 압력 아래 생성됩니다.이 가스의 이온이 일정량에 도달하면, 플라즈마 상태가 형성됩니다. 양성 이온의 영향 하에, 이온 교환은 금속 표면에 발생하여 제품의 매끄러움을 향상시킵니다.이것은 원하는 닦는 효과를 가져옵니다..
장점
매개 변수 | 화학 경화 | 전해질 닦기 | 플라즈마 에치링, 폴리싱 |
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폴리싱 액체 가격 | 비싼 것 | 비싼 것 | 낮은 |
독성 | 높은 | 높은 | 아무 것도 |
노화 | 재생하기 힘들다 | 재생하기 힘들다 | 주기적인 보충 |
폐기물 액체 | 치료가 어렵습니다. | 치료가 어렵습니다. | 최소, 오염이 없는 |
전처리 | 복합적 | 복합적 | 필요 없습니다 |
치료 후 | 위험 물질 | 위험 물질 | 단순 닦아 |
평준화 효과 | 가난한 사람 | 좋아 | 훌륭해요 |
밝기 효과 | 좋아 | 좋아 | 아주 좋네요 |
복잡 한 부품 에 적합 | 네 | 네 | 네 |
자동화 실현 가능성 | 네 | 네 | 가볍게 |
수술의 어려움 | 중간 | 중간 | 빨리 |
닦기 속도 | 천천히 | 더 빨리 | 빨리 |
강도 효과 | 눈에 띄지 않습니다. | 눈에 띄지 않습니다. | 증가 |
이 표는 이러한 세 가지 닦기 기술을 다양한 측면에서 비교합니다. 적절한 닦기 기술의 선택은 특정 응용 요구 사항에 달려 있습니다.비용 고려, 환경 문제, 그리고 작업 조각의 특성
쇼